RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2231
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link