RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2283
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link