RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2155
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link