RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
43
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2794
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link