RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
3810
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link