RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
81
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
81
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
1651
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link