RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
1954
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link