RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3783
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link