RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2618
3635
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link