RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2405
3243
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre 0000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link