RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2405
3000
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link