RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2062
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link