RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2644
2479
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link