RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
34
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
2987
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link