RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
1989
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link