RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
31
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
3171
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link