RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
3030
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link