RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
3448
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link