RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2620
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905428-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link