RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
103
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
103
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2960
1520
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link