RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2374
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link