RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2558
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link