RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2967
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link