RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3380
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link