RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    18.2 left arrow 14.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.5 left arrow 8.9
    Średnia wartość w badaniach
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 28
    Wokół strony -12% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    18.2 left arrow 14.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.5 left arrow 8.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3067 left arrow 2542

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Pamięć RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Pamięć RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Pamięć RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Pamięć RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Pamięć RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pamięć RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pamięć RAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Pamięć RAM
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Pamięć RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Pamięć RAM