RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2179
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link