RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2409
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link