RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3007
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link