RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2257
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link