RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
54
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2176
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link