RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
3564
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link