RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
2326
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link