RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3212
2810
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link