RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
40
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2204
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link