Porównanie pamięci RAM G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 30

Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

24 14.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

20.0 9.0

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 17000

Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

4156 2374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns