RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2493
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link