RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3679
2709
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link