RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,001.7
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,776.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.7
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
669
3373
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link