RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3090
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link