RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3648
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link