RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
62
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2965
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link