RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3741
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link