RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
62
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2235
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link