RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
126
Wokół strony 79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
126
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1108
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link