RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2237
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link