RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2490
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A3000C12 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link