RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
69
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1598
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link