RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2690
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link