RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2856
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link