RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3568
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link