RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3568
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link